在晶圆制程中,AR膜通常通过真空镀膜方式沉积在硅材表面,膜层致密且附着力强。若直接进行机械或物理剥离,不仅会损伤基材表面,还可能引入微裂纹或颗粒污染,影响后续工艺。因此,必须采用高效、温和且可控的化学退镀方式,以确保晶圆在返修后仍保持原有的表面品质与结构完整性。

传统退镀溶液多存在退膜速率慢、腐蚀基材、残留离子多等问题,导致返修良率偏低。而新一代AR膜退镀剂通过精准的化学配方与表面活化技术,实现了对AR膜的选择性溶解,让退镀过程更加高效、安全。
高效退膜,精准可控
采用新型络合溶解体系,可在短时间内均匀去除AR膜层,退膜速度快、残留少。配方兼顾多层结构的选择性,可有效避免对下层硅氧化膜或金属层的影响。
不伤基材,保护晶圆表面
退镀剂pH值温和,化学反应受控,能在不破坏硅晶表面的前提下彻底去除AR膜,保证晶圆的平整度与表面洁净度,为后续再镀膜提供理想基础。
兼容真空退镀工艺
特别适用于真空镀膜后的返修处理,可在低温条件下高效作用,适配多种AR膜材料(如SiO₂、TiO₂、MgF₂等),满足多层光学膜结构的退镀需求。
环保安全,易于废液处理
采用低挥发、低毒性化学配方,符合RoHS及REACH环保标准。退镀后废液易于处理,减少对环境及操作人员的潜在危害。
AR膜退镀剂广泛应用于半导体晶圆、光学镜头、光伏玻璃及传感器等领域的返修流程中。实践证明,在硅材晶圆的真空退镀工艺中使用该产品,可将退膜时间缩短30%以上,良率提升15%,有效降低返修成本。
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